IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6N031HATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5L011ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N04S6N031HATMA1 | IAUC120N06S5L011ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $2,10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) | — |
| Process Technology | OptiMOS 6 40V | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 60 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 75 W | — |
| R_DS(on) at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 60 V (S5 generation) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | [DATA_NEEDED: max V_GS rating] |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 310 A (Tj), 120 A marketing |
| R_DS(on) max | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 188 W at T_C = 25 °C |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS) |