IAUC90N10S5N062ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC90N10S5N062ATMA1 von Infineon und IAUC100N04S6L020ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) OptiMOS 6
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (TJ)
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)
RoHS-Status — Compliant

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