IAUC90N10S5N062ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC90N10S5N062ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) OptiMOS 6
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ)
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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