IAUC90N10S5N062ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC90N10S5N062ATMA1 von Infineon und IAUC50N08S5L096ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes Yes
Product Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

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