IAUC90N10S5N062ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC90N10S5N062ATMA1 par Infineon et IAUC50N08S5L096ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes Yes
Product Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

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