IAUCN04S7N012ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N012ATMA1 von Infineon und IAUC100N04S6L025ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 ✓ Aktiv
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IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N012ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $0,62
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-7 (trench) OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mΩ 2.5 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg total]
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Transistor Grade Automotive (AEC-Q101) —
Verlustleistung (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity N-Channel N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

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