IAUCN04S7N012ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N012ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L025ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N012ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,62 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS-7 (trench) | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.2 mΩ | 2.5 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Transistor Grade | Automotive (AEC-Q101) | — |
| Dissipation de puissance (Ptot) | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |