IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N015GATMA1 von Infineon und IAUCN04S7L028ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Aktiv
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IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,21 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Gehäuse PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP)
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C -55 C to +175 C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Montageart Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Series — OptiMOS 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 2.80 mOhm at VGS=10 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 1.8 V (typ)
Gate Charge (Qg) — 24 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.578 nF
Output Capacitance (Coss) — 788 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 36 pF
Verlustleistung (Ptot) — 58 W

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