IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon y IAUCN04S7L028ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Activo
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IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,21 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Encapsulado PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP)
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +175 C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tipo de montaje Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Series — OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 2.80 mOhm at VGS=10 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 1.8 V (typ)
Gate Charge (Qg) — 24 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.578 nF
Output Capacitance (Coss) — 788 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 36 pF
Disipación de potencia (Ptot) — 58 W

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