IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N015GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L028ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,21 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Boîtier PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP)
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55 C to +175 C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de montage Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Series — OptiMOS 7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 2.80 mOhm at VGS=10 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 1.8 V (typ)
Gate Charge (Qg) — 24 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.578 nF
Output Capacitance (Coss) — 788 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 36 pF
Dissipation de puissance (Ptot) — 58 W

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis