IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon und IAUCN04S7L005ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,85
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Gehäuse PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 qualified
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55°C to +175°C (Tj)
Technology — OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
Pin-Anzahl — 8
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern