IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon y IAUCN04S7L005ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,85
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Encapsulado PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 qualified
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55°C to +175°C (Tj)
Technology — OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
Recuento de pines — 8
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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