IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon e IAUCN04S7L005ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,85
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Encapsulamento PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 qualified
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55°C to +175°C (Tj)
Technology — OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
Contagem de pinos — 8
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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