IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N027GATMA1 von Infineon und IAUA180N04S5N012AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N027GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,72 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds max) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) 117 A —
On-Resistance (Rds(on) max) 2.67 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 70 W (Tc) —
Gehäuse / Bauform PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Gate-Source Voltage Max (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL] —
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy FR-4 —
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
Series — OptiMOS-5 40 V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gehäuse — PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
Technology — OptiMOS-5 Trench
Automotive Qualification — AEC-Q101

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