IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N027GATMA1 par Infineon et IAUA180N04S5N012AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N027GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,72 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds max) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) 117 A —
On-Resistance (Rds(on) max) 2.67 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 70 W (Tc) —
Boîtier / Format PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Gate-Source Voltage Max (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL] —
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy FR-4 —
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
Series — OptiMOS-5 40 V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Boîtier — PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
Technology — OptiMOS-5 Trench
Automotive Qualification — AEC-Q101

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