IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon e IAUA180N04S5N012AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N027GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds max) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) 117 A —
On-Resistance (Rds(on) max) 2.67 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 70 W (Tc) —
Encapsulamento / Caixa PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Gate-Source Voltage Max (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL] —
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy FR-4 —
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
Series — OptiMOS-5 40 V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Encapsulamento — PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
Technology — OptiMOS-5 Trench
Automotive Qualification — AEC-Q101

Fichas técnicas e recursos

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