IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7L013ATMA1 von Infineon und IAUCN08S7L033ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,96 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
Gehäuse PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Qualification AEC-Q101 (automotive) Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Series — Automotive OptiMOS 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET

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