IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN08S7L013ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L033ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.96 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
連続ドレイン電流(TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
パッケージ PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Qualification AEC-Q101 (automotive) Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Series — Automotive OptiMOS 7
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET

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