IAUCN08S7L018ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7L018ATMA1 von Infineon und ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IAUCN08S7L018ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,55 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| Betriebstemperaturbereich | -55 °C to +175 °C | — |
| Gehäuse | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Anzahl der Pins | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Betriebstemperatur | — | -55 °C to +175 °C |