IAUCN08S7L018ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L018ATMA1 par Infineon et ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7L018ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |