IAUCN08S7L024ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7L024ATMA1 von Infineon und IAUCN08S7L033ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,68 $0,86
Technology OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 177 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Silicon-limited) 150 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.4 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 148 W (Tc) —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (Tj) -55°C to +175°C (TJ)
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

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