IAUCN08S7L024ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN08S7L024ATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1 - 80V 2.4mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L024ATMA1 - 80V 2.4mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L024ATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,68 $0,86
Technology OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 177 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Silicon-limited) 150 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.4 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 148 W (Tc) —
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (Tj) -55°C to +175°C (TJ)
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

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