IAUCN08S7L024ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7L024ATMA1 von Infineon und IPC50N04S5L5R5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7L024ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,68 $0,36
Technology OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 177 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Silicon-limited) 150 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.4 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 148 W (Tc) —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (Tj) -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

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