IAUCN08S7L024ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7L024ATMA1 por Infineon e IPC50N04S5L5R5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN08S7L024ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,68 $0,36
Technology OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 177 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Silicon-limited) 150 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.4 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 148 W (Tc) —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (Tj) -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fichas técnicas e recursos

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