IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7L033ATMA1 von Infineon und IAUCN08S7L013ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) AEC-Q101 (automotive)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

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