IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN08S7L033ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L013ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $1.96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
パッケージ PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) AEC-Q101 (automotive)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
連続ドレイン電流(TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

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