IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L013ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $1,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) AEC-Q101 (automotive)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Courant de drain continu (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

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