IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7N024ATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (typical automotive) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Verlustleistung (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Product Family — OptiMOS 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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