IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7N024ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (typical automotive) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Dissipation de puissance (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Product Family — OptiMOS 7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fiches techniques et ressources

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