IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN08S7N024ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7N019GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.89 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench —
패키지 PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +175C (typical automotive) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
전력 손실 (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS Compliance Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Product Family — OptiMOS 7
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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