IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7N024TATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N037GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,45 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Gehäuse / Bauform PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Montageart Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Cooling Top-side cooled —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Gehäuse — SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]

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