IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7N024TATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N037GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,45 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Encapsulamento / Caixa PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Cooling Top-side cooled —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Encapsulamento — SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]

Fichas técnicas e recursos

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