IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7N024TATMA1 von Infineon und IAUCN08S7L033ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,45 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 Automotive OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Gehäuse / Bauform PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Gehäuse — PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

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