IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7N024TATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,45 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 Automotive OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Boîtier / Format PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Boîtier — PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

Fiches techniques et ressources

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