IAUT165N08S5N029ATMA2 vs ISC151N08NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUT165N08S5N029ATMA2 von Infineon und ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUT165N08S5N029ATMA2 ISC151N08NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,30 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUT165N08S5N029ATMA2 —
Product Family OptiMOS™ 5 —
Transistortyp N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 165 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) 660 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 2.9 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 167 W —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) 225 mJ —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) —
Gehäuse / Bauform PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL Rating MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
Gehäuse — PG-TDSON-8 FL
Anzahl der Pins — 8
Channel Mode — Enhancement
Betriebstemperatur — -55 °C to +175 °C
RoHS-Status — Compliant

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