IAUT165N08S5N029ATMA2 vs ISC151N08NM6ATMA1 비교
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Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IAUT165N08S5N029ATMA2 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.30 | $0.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUT165N08S5N029ATMA2 | — |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) | 165 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | 660 A | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 2.9 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) | 167 W | — |
| Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) | 225 mJ | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Rating | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8 FL |
| 핀 수 | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| 동작 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS 상태 | — | Compliant |