IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ40N06S5L050ATMA1 von Infineon und BSC059N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ40N06S5L050ATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,39
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

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