IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N06S5L050ATMA1 제조: Infineon 및 BSC059N04LSGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUZ40N06S5L050ATMA1 BSC059N04LSGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.39
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
동작 온도 범위 — -55 C to +150 C
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

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