IAUZ40N06S5N050ATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ40N06S5N050ATMA1 von Infineon und BSC0993NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ40N06S5N050ATMA1 BSC0993NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,32
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on), typ) 5 mΩ at VGS=10 V —
Maximum Power Dissipation (PD) 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.7 V —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 trench MOSFET
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Gehäuse PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm) PG-TISON-8
Pin-Anzahl 8 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance (RthJC, max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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