IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ40N08S5N100ATMA1 von Infineon und BSC052N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ40N08S5N100ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,52
Technology OptiMOS-5 N-Channel MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 40 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 68 W —
On-Resistance RDS(on) max 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2.5-3.0 V
Total Gate Charge Qg typ 24.2 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 1591 pF @ VDS=40 V —
Gate-Source Voltage VGS max ±20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) —
Gehäuse PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C

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