IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUZ40N08S5N100ATMA1 メーカー: Infineon および BSC052N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.71 | $0.52 |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2.5-3.0 V |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| 動作接合温度 | — | -55C to +150C |