IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N08S5N100ATMA1 제조: Infineon 및 BSC052N08NS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.71 | $0.52 |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2.5-3.0 V |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +150C |