IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ40N10S5N130ATMA1 von Infineon und IAUZ30N10S5L240ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 5 (trench)
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C (junction, automotive grade)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 24 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Charge (Q_g) typ — 14 nC at V_GS=10V
Input Capacitance (C_iss) typ — 832 pF at V_DS=50V
Power Dissipation (P_D, Tc) — 45.5 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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