IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon et IAUZ30N10S5L240ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 - 100V 30A 24mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IAUZ30N10S5L240ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,52 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction trench) | OptiMOS 5 (trench) |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 13 mΩ | — |
| RDS(on) typical | 10 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | -55°C to +175°C (junction, automotive grade) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 24 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Charge (Q_g) typ | — | 14 nC at V_GS=10V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 832 pF at V_DS=50V |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 45.5 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |