IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon e IAUZ30N10S5L240ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 5 (trench)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C (junction, automotive grade)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 24 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Charge (Q_g) typ — 14 nC at V_GS=10V
Input Capacitance (C_iss) typ — 832 pF at V_DS=50V
Power Dissipation (P_D, Tc) — 45.5 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Status RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Fichas técnicas e recursos

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