IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZN08S7L177ATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZN08S7L177ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $1,62
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
Gehäuse PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Betriebstemperatur -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Dual N-Channel MOSFET Array
Qualification AEC-Q101 automotive —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction)
Pin-Anzahl — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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