IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZN08S7L177ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZN08S7L177ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $1,62
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
Boîtier PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Température de fonctionnement -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Dual N-Channel MOSFET Array
Qualification AEC-Q101 automotive —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Nombre de broches — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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