IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZN08S7L177ATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZN08S7L177ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $1,62
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Temperatura de operação -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Dual N-Channel MOSFET Array
Qualification AEC-Q101 automotive —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Contagem de pinos — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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