INA118P vs INA118PB Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von INA118P von Texas Instruments und INA118PB von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter INA118P INA118PB
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Product Type Precision, low-power instrumentation amplifier Precision instrumentation amplifier
Number of Amplifier Circuits 1 circuit —
Offset Voltage 50 µV maximum —
Offset Voltage Drift 0.5 µV/°C maximum —
Common-Mode Rejection Ratio 110 dB minimum at gain 1000 —
Input Bias Current 5 nA maximum —
Input Protection ±40 V —
Supply Voltage Range ±2.25 V to ±18 V —
Ruhestrom 350 µA 350 uA
Gain Range 1 to 10000 1 to 10,000
Gain Setting One external resistor —
Bandwidth 70 kHz at gain 100 —
Architecture Three-op-amp design with current-feedback input circuitry Three-op-amp design
Gehäuse 8-pin plastic DIP 8-pin plastic DIP
Montageart Through-hole Through-hole
Betriebstemperatur -40°C to +85°C —
Number of Amplifiers — 1 circuit
Maximum Offset Voltage — 50 uV
Maximum Offset Voltage Drift — 0.5 uV/°C
Maximum Input Bias Current — 5 nA
Minimum Common-Mode Rejection — 110 dB at G = 1000
Maximum Input Voltage — ±40 V
Maximum Supply Voltage — ±18 V
Minimum Single-Supply Voltage — 1.35 V
Minimum Dual-Supply Voltage — ±2.25 V
Bandwidth at Gain of 100 — 70 kHz
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +85°C
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
REACH Status — [DATA_NEEDED: REACH compliance status]

Datenblätter & Ressourcen

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