INA118PB vs INA118P Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von INA118PB von Texas Instruments und INA118P von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter INA118PB INA118P
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Product Type Precision instrumentation amplifier Precision, low-power instrumentation amplifier
Number of Amplifiers 1 circuit —
Architecture Three-op-amp design Three-op-amp design with current-feedback input circuitry
Maximum Offset Voltage 50 uV —
Maximum Offset Voltage Drift 0.5 uV/°C —
Maximum Input Bias Current 5 nA —
Minimum Common-Mode Rejection 110 dB at G = 1000 —
Maximum Input Voltage ±40 V —
Maximum Supply Voltage ±18 V —
Minimum Single-Supply Voltage 1.35 V —
Minimum Dual-Supply Voltage ±2.25 V —
Ruhestrom 350 uA 350 µA
Gain Range 1 to 10,000 1 to 10000
Bandwidth at Gain of 100 70 kHz —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +85°C —
Gehäuse 8-pin plastic DIP 8-pin plastic DIP
Montageart Through-hole Through-hole
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH compliance status] —
Number of Amplifier Circuits — 1 circuit
Offset Voltage — 50 µV maximum
Offset Voltage Drift — 0.5 µV/°C maximum
Common-Mode Rejection Ratio — 110 dB minimum at gain 1000
Input Bias Current — 5 nA maximum
Input Protection — ±40 V
Supply Voltage Range — ±2.25 V to ±18 V
Gain Setting — One external resistor
Bandwidth — 70 kHz at gain 100
Betriebstemperatur — -40°C to +85°C

Datenblätter & Ressourcen

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